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村田高性能硅电容及RFID产品闪耀CIOE 2019,为光通信行业提供“元”动力

 近年来,我国光通信产业发展迅速,已成为全球最大的光通信市场,而光器件作为重要组成部分,受物联网、5G预商用等产业的驱动,给元器件相关企业带来了巨大发展机

近年来,我国光通信产业发展迅速,已成为全球最大的光通信市场,而光器件作为重要组成部分,受物联网、5G预商用等产业的驱动,给元器件相关企业带来了巨大发展机遇。作为一家基于陶瓷的无源电子元件与解决方案、通信模块和电源模块之设计、制造与销售的全球领先企业,村田致力于开发先进的电子材料以及领先的多功能和高密度模块。

2019年9月4-7日,第21届中国国际光电博览会(CIOE 2019)在深圳会展中心盛大举办,作为极具规模及影响力的光电产业综合性展会,吸引了众多展商亮相。村田制作所(中国)受邀参加“第21届中国国际光电博览会”(CIOE 2019),村田此次参展的主题是“电容家族新势力:续写精专技艺”,村田带来了硅电容器以及数据中心线缆管理用RFID标签等新产品,助推光电产业发展。

村田展示的5大产品

1、用于高速数字芯片的退耦电容

退耦电容是指用在退耦电路中的电容,也叫去耦电容,退耦电容并接于电路正负极之间,可防止电路通过电源形成的正反馈通路而引起的寄生振荡。退耦即防止前后电路电流大小变化时,在供电电路中所形成的电流波动对电路的正常工作产生影响,退耦电路能够有效地消除电路之间的寄生耦合。在本次光博会上,村田展示的打线退耦电容 WLSC/ UWSC系列产品的ESR(等效电阻)、ESL(等效电感)低,尺寸小,容量大,具备适合打线的完美电极平坦度和宽温度范围内高可靠性,吸引了不少观众的目光。

据介绍,村田WLSC系列产品薄至100μm,适用于无线通信(如5G)、雷达、数据播放系统之类的RF大功率用途,可用于DC去耦、匹配电路、高次谐波/噪声滤除功能。UWSC系列专为DC去耦和旁路用途设计,在超过26GHz的频率实现了出色的静噪性能,该系列是采用深槽和MOS半导体工艺生产的,满足低容量和高容量两方面要求,提供高可靠性,以及对于温度和电压的静电容量稳定性。

2、用于BGA封装的硅电容器

光通信作为现代通信的主要支柱之一,在现代电信网中起着举足轻重的作用。光通信速度每年都在变得越来越快,当通信速度达到毫米波宽带时,贴片陶瓷电容器中的插入损耗会增加,这对硅电容器的稳定性以及可靠性要求也会逐渐增高,依靠村田的硅技术开发的独特的集成无源器件和设备,可实现低插入损耗、低反射和高相位稳定性,备受市场的青睐。

据现场工作人员介绍,村田的高密度硅电容器通过应用半导体MOS工艺实现三维化,大幅增加电容器表面积,从而提高了基板单位面积的静电容量,适用于网络相关(RF功率放大器、宽带通信)、高可靠性用途、医疗、汽车、通信等领域。村田本次展示的UBEC / BBEC / ULEC系列,支持60GHz+的嵌入/引线键合用硅电容器,是以光通信系统(ROSA/TOSA、SONET等所有光电产品),以及高速数据系统和产品为目标,专为DC去耦和旁路用途设计的。UBEC系列、BBEC系列、ULEC系列,分别在60+GHz、40GHz、20GHz,实现出色的静噪性能。UBEC/BBEC/ULEC系列具有极高的可靠性,以及对于温度(+60ppm/K)和电压的静电容量稳定性,而且工作温度范围宽达-55℃至 150℃。生产线采用经过超过900℃的高温退火处理而获得的高纯度氧化膜,确保高度的可靠性和再现性。此外,这些电容器支持标准的引线键合封装(球和楔)。这些电容器符合RoHS标准,也能提供厚膜铝电极。

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